گلکسی S26 Edge با اسنپدراگون 8 Elite 2 در Geekbench مشاهده شد

در حالی که بیشتر شایعات اخیر در مورد گلکسی S26 Edge در مورد ظرفیت باتری این گوشی است، ظاهراً فهرست جدید Geekbench چیپست آن را تأیید کرده است و به نظر می رسد دستگاه باریک و سبک بعدی سامسونگ به اسنپدراگون 8 Elite 2 کوالکام مجهز خواهد شد.

چیپست پرچمدار آینده دارای یک پردازنده هشت هسته‌ای با دو هسته اصلی با فرکانس ۴.۷۴ گیگاهرتز و شش هسته عملکردی با فرکانس ۳.۶۳ گیگاهرتز خواهد بود که این فرکانس‌های پردازنده بالاتر از فرکانس‌های ۴.۳۲ گیگاهرتز و ۳.۵۳ گیگاهرتز SD Elite هستند.

گزارش های قبلی نشان می دهد که کوالکام در حال آزمایش SD Elite 2 با سرعت کلاک پردازنده تا ۴.۶ گیگاهرتز برای نسخه معمولی و ۴.۷۴ گیگاهرتز برای نسخه گلکسی است.

در بنچمارک عملکرد پردازنده Geekbench 6، گلکسی S26 اج در تست تک هسته‌ای 3393 امتیاز و در تست چند هسته‌ای 11515 امتیاز کسب کرد که آن را از آیفون 16 پرو مکس قدرتمندتر می‌کند.

از آنجایی که هسته‌های اصلی پردازنده اسنپدراگون 8 الیت نسل 2 می‌توانند با حداکثر سرعت کلاک 4.74 گیگاهرتز کار کنند، گلکسی S26 اج می‌تواند در صورت استفاده کامل از تراشه خود، امتیاز بسیار بالاتری کسب کند و از نظر عملکرد پردازنده، پا به پای آیفون 17 پرو مکس و تراشه 3 نانومتری A19 Pro آن پیش برود.

تراشه‌های اسنپدراگون در چند سال گذشته تراشه‌های سری A اپل را شکست داده‌اند، بنابراین گلکسی S26 اج احتمالاً عملکرد پردازنده گرافیکی بهتری نسبت به آیفون 17 پرو مکس خواهد داشت.

گزارش‌های قبلی نشان می‌دهد که گلکسی S26 اج دارای صفحه نمایش 6.7 اینچی OLED با نرخ نوسازی 120 هرتز، دوربین سلفی 12 مگاپیکسلی، دوربین اصلی 200 مگاپیکسلی، دوربین فوق عریض 50 مگاپیکسلی، رم 12 گیگابایتی، حافظه داخلی 256/512 گیگابایتی و باتری 4200 میلی‌آمپر ساعتی با شارژ سریع 45 واتی است.

همچنین می‌تواند دارای GPS، Wi-Fi 7، بلوتوث 5.4، UWB، NFC، پورت USB 3.2 Type-C، بلندگوهای استریو و رتبه IP68 برای مقاومت در برابر گرد و غبار و آب باشد و شارژ بی‌سیم Qi2 Ready باشد.

دیدگاه‌ خود را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

پیمایش به بالا